鋁碳化硅（AlSiC）光電轉(zhuǎn)換器基座、襯底、外殼
一、鋁碳化硅（AlSiC）光電轉(zhuǎn)換器基座、襯底、外殼
光電轉(zhuǎn)換模塊在不斷向小型化、集成、高效方面發(fā)展。鋁碳化硅材料的優(yōu)良性能為光電模塊封裝提供了更好的設(shè)計(jì)空間。
鋁碳化硅材料可以一次性鑄造成光電模塊封裝需要的各種隔板、圍墻、圓角等形狀，而且批量生產(chǎn)可以使成本大幅降低，這使得光電模塊安裝與對齊非常方便。
鋁碳化硅材料優(yōu)良的導(dǎo)熱能力和匹配的低熱膨脹系數(shù)，使得兩種類型的光電模塊非常適合使用鋁碳化硅材料來封裝：一是光電系統(tǒng)需要反復(fù)開關(guān)而造成大量冷熱循環(huán)的情況；二是系統(tǒng)需要優(yōu)良的散熱能力以使光電系統(tǒng)能穩(wěn)定工作在接近室溫的溫度。
對于需要承受反復(fù)熱循環(huán)的光電模塊，鋁碳化硅材料的高執(zhí)導(dǎo)率、低熱膨脹系數(shù)可有效匹配光電器件的工作，降低光電器件工作期間的熱應(yīng)力和熱阻。
對于需要長時(shí)間穩(wěn)定工作于一定溫度下的光電器件，如激光二極管等，高效的散熱能力成為主要關(guān)注點(diǎn)。封裝基座優(yōu)良的散熱能力對提升芯片光效以及穩(wěn)定熱電控制都有良好幫助。鋁碳化硅復(fù)合材料的高熱導(dǎo)能力使其在光電領(lǐng)域的應(yīng)用非常廣泛。
二、AlSiC（鋁碳化硅）材料的目標(biāo)特征有四個(gè)：
高熱導(dǎo)率；
高比剛度；
低密度。
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隨著物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)和人工智能驅(qū)動(dòng)的新計(jì)算時(shí)代的發(fā)展，對半導(dǎo)體器件的需求日益增長，同時(shí)也催生了市場對半導(dǎo)體材料的需求，半導(dǎo)體材料行業(yè)迎來快速發(fā)展的黃金期。在國家鼓勵(lì)半導(dǎo)體材料國產(chǎn)化的政策導(dǎo)向下，本土半導(dǎo)體材料廠商不斷提升半導(dǎo)體產(chǎn)品技術(shù)水平和研發(fā)能力，逐漸打破了國外半導(dǎo)體廠商的壟斷格局，推進(jìn)中國半導(dǎo)體材料國產(chǎn)化進(jìn)程，促進(jìn)中國半導(dǎo)體材料行業(yè)的發(fā)展。
數(shù)據(jù)顯示，2017-2019年中國半導(dǎo)體材料市場規(guī)模逐年增長，從2017年的76億美元增長至2020年的94億美元。據(jù)統(tǒng)計(jì)，2017-2020年全球62座新投產(chǎn)的晶圓廠中有26座來自中國大陸，占比超過40%，成為增速最快的地區(qū)。伴隨著5G時(shí)代的來臨，汽車電動(dòng)化進(jìn)程拉動(dòng)IGBT規(guī)模增長。得益于對清潔能源高速增長的需求，IGBT市場規(guī)模將持續(xù)增長，IGBT市場在2020年的規(guī)模為54億美元，從2020年到2026年將以7.5%的復(fù)合年增長率（CAGR）增長，預(yù)計(jì)2026年市場規(guī)模為84億美元。新能源車應(yīng)用作為IGBT市場規(guī)模的重要增量，2020年市場規(guī)模為為5.09億美元，2020-2026年的復(fù)合年增長率為23%，預(yù)計(jì)2026年新能源車用IGBT市場規(guī)模為17億美元。
隨著5G、智慧物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的到來，中國大陸的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)得以在眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)快速與全面布局，正逐步驅(qū)使全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從韓國、中國臺(tái)灣向中國大陸轉(zhuǎn)移。目前，我國已經(jīng)成為最大的半導(dǎo)體市場，并且繼續(xù)保持最快的增速，預(yù)計(jì)半導(dǎo)體市場增長將持續(xù)帶動(dòng)半導(dǎo)體材料行業(yè)快速發(fā)展。
