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? 原材料: AISiC
? 成型工藝:模具鑄造成型/CNC
? 尺寸精度:±0.05mm
? 平面度:<0.05
? 粗糙度:外觀面Ra1.6；粘接面Ra2.0以上
? 最小設(shè)計厚度: 0.3mm
? 性能參數(shù):熱導(dǎo)率>200(W/mK)25℃，線膨脹系數(shù)7(CTEppm/℃)，密度3.0(g/cm³)
? 鍍層處理:化學(xué)鍍暗鎳，厚度10-25μm
? 鹽霧時間:48hrs
? 高溫考核:270℃30min
? 應(yīng)用封裝: FPGA/CBGA/CCGA類陶瓷基板封裝用散熱蓋、熱沉
? 適用領(lǐng)域:航空航天，軍工國防，通信基站等領(lǐng)域
? 材料特性:輕質(zhì)材料，可降低BGA中每個焊球承受的重量；抗彎強度高，在組裝過程中可以有效控制翹曲以改善焊接；線膨脹系數(shù)與陶瓷基板材料及芯片材料相匹配，有效保證了封裝后散熱通道，提高了器件的可靠性

? 原材料: T2/C1100
? 結(jié)構(gòu): Hat (dimple)；Forged；Stiffener Ring
? 成型工藝:沖壓/CNC
? 平面度: <0.05
? 粗糙度:外觀面Ra0.2-0.6；粘接面Ra2.0以上
? 性能參數(shù): 熱導(dǎo)率401(W/mK)25℃，線膨脹系數(shù)17.7(CTEppm/℃)，密度9.0(g/cm³)
? 鍍層處理: 化學(xué)鍍鎳/電鍍鎳、鍍層厚度2-10μm
? 鹽霧時間: 48hrs
? 高溫考核:270℃30min
? 應(yīng)用封裝:用于個人計算機的和服務(wù)器的CPU封裝，汽車設(shè)備的SOC/FPGA封裝，通信設(shè)備的處理器封裝，游戲系統(tǒng)處理器和圖像處理器以及人工智能處理器等封裝
? 材料特性:熱導(dǎo)率高、價格便宜、成型容易，可做多種結(jié)構(gòu)設(shè)計，可大批量生產(chǎn)

? 原材料:金剛石顆粒/鋁合金
? 結(jié)構(gòu):平板帶結(jié)構(gòu)類
? 厚度范圍: 0.5-8mm
? 尺寸范圍:<350mm
? 成型工藝:真空熱壓/雙面研磨/激光切割
? 平面度:<0.05
? 粗糙度: Ra0.4
? 材料特性: 熱導(dǎo)率>400(W/mK) 25℃，熱膨脹系數(shù)6-9(CTEppm/℃)，密度3.0 g/cm³
? 鍍層處理: 化學(xué)鍍鎳/電鍍鎳、鍍層厚度10-20μm/鎳金
? 鹽霧時間: 48hrs
? 高溫考核:450℃10min
? 應(yīng)用封裝:激光二極管產(chǎn)品封裝，功率轉(zhuǎn)換器模塊封裝，倒裝芯片封裝，固態(tài)激光器封裝

? 材料優(yōu)勢:成分可調(diào)，可根據(jù)客戶需要調(diào)整金剛石含量；可鍍性好,表面鍍鎳、銀、金；熱膨脹系數(shù)與SkCaAs和GaN等良好匹配

金剛石鋁性能參數(shù)表

? 原材料:金剛石顆粒/銅合金
? 結(jié)構(gòu):平板帶結(jié)構(gòu)類
? 厚度范圍:0.5-8mm
? 尺寸范圍:<350mm
? 成型工藝:真空熱壓/雙面研磨/激光切割
? 平面度:<0.05
? 粗糙度: Ra0.4
? 材料特性:熱導(dǎo)率>450(W/mk) 25℃，熱膨脹系數(shù)5-8(CTEppm/℃)，密度6.0 g/cm³
? 鍍層處理: 化學(xué)鍍鎳/電鍍鎳、鍍層厚度10-20μm/鎳金；
? 鹽霧時間: 48hrs
? 高溫考核:450℃10min
? 應(yīng)用封裝:光通信領(lǐng)域產(chǎn)品封裝，COS系列器件封裝，T/R組件封裝
? 材料優(yōu)勢:成分可調(diào)，可根據(jù)客戶需要調(diào)整金剛石含量；可鍍性好,表面鍍鎳、銀、金；熱膨脹系數(shù)與Si、GaAs和GaN等良好匹配

金剛石鋁性能參數(shù)表