鋁碳化硅均熱片
? 原材料: AISiC
? 成型工藝:模具鑄造成型/CNC
? 尺寸精度:±0.05mm
? 平面度:<0.05
? 粗糙度:外觀面Ra1.6；粘接面Ra2.0以上
? 最小設(shè)計厚度: 0.3mm
? 性能參數(shù):熱導(dǎo)率>200(W/mK)25℃，線膨脹系數(shù)7(CTEppm/℃)，密度3.0(g/cm3)
? 鍍層處理:化學(xué)鍍暗鎳，厚度10-25μm
? 鹽霧時間:48hrs
? 高溫考核:270℃30min
? 應(yīng)用封裝: FPGA/CBGA/CCGA類陶瓷基板封裝用散熱蓋、熱沉
? 適用領(lǐng)域:航空航天，軍工國防，通信基站等領(lǐng)域
? 材料特性:輕質(zhì)材料，可降低BGA中每個焊球承受的重量；抗彎強度高，在組裝過程中可以有效控制翹曲以改善焊接；線膨脹系數(shù)與陶瓷基板材料及芯片材料相匹配，有效保證了封裝后散熱通道，提高了器件的可靠性
? 成型工藝:模具鑄造成型/CNC
? 尺寸精度:±0.05mm
? 平面度:<0.05
? 粗糙度:外觀面Ra1.6；粘接面Ra2.0以上
? 最小設(shè)計厚度: 0.3mm
? 性能參數(shù):熱導(dǎo)率>200(W/mK)25℃，線膨脹系數(shù)7(CTEppm/℃)，密度3.0(g/cm3)
? 鍍層處理:化學(xué)鍍暗鎳，厚度10-25μm
? 鹽霧時間:48hrs
? 高溫考核:270℃30min
? 應(yīng)用封裝: FPGA/CBGA/CCGA類陶瓷基板封裝用散熱蓋、熱沉
? 適用領(lǐng)域:航空航天，軍工國防，通信基站等領(lǐng)域
? 材料特性:輕質(zhì)材料，可降低BGA中每個焊球承受的重量；抗彎強度高，在組裝過程中可以有效控制翹曲以改善焊接；線膨脹系數(shù)與陶瓷基板材料及芯片材料相匹配，有效保證了封裝后散熱通道，提高了器件的可靠性
